爆発する3次元NAND市場、東芝メモリが買われるワケ

爆発する3次元NAND市場、東芝メモリが買われるワケ

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 東芝メモリが開発し、製造しているのは、NANDフラッシュという半導体メモリである。そのNANDは、2次元の微細化が困難になったため、3次元化することになった。そして、3次元NAND市場が爆発しつつある。連載第2回目では、NANDが3次元化する理由を述べた後、その3次元NAND市場が爆発的に拡大しつつある実態を説明する。

■なぜ2次元ではなく3次元か

 ところが、128Gビットに到達した後、チップ面積を縮小するために、19nm(1X)→1Y→1Zと微細化し、16〜15nmまで来たところで、大きな壁に直面した。
16〜15nm以降も微細化は可能なのだが、それ以上微細化してメモリセルが接近し過ぎると、隣り合うメモリセル同士が干渉し合う(クロストーク)という問題が起き始めたのである(図2)。

 クロストークを避けるためには、メモリセル間に一定の距離が必要である。しかし、メモリセル間を詰めることなく、セルを微細化したり、チップを高集積化するのはほぼ不可能である。そこで考え出されたのが、セルを縦に積む方式、つまり3次元NANDである。

 3次元NANDでは、高集積化のために、メモリセルは微細化せず、その代りに縦方向に何層積層するかという競争をしている。4〜5年ほど前から始まった3次元NANDの開発は、8〜16層を経て24層から32層に移行し、2016年3月に先陣を切って、サムスン電子の西安工場(中国)が48層で大量生産を開始した。東芝は半年〜1年遅れとなっている。そして現在の最先端は64層であり、ここでもサムスン電子が先行している。

続きは WEDGE Infinity で

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