【上海IPO】SiC基板材料大手の山東天岳先進科技、初値は公開価格の5.8%安

【上海IPO】SiC基板材料大手の山東天岳先進科技、初値は公開価格の5.8%安

SiC(炭化ケイ素)基板材料の生産を手掛ける山東天岳先進科技(天岳先進、688234/上海)が1月12日、上海証券取引所科創板に初上場した。公開価格82.79元に対して初値は5.8%安い77.98元だった。

 SiC(炭化ケイ素)基板材料の生産を手掛ける山東天岳先進科技(天岳先進、688234/上海)が1月12日、上海証券取引所科創板に初上場した。公開価格82.79元に対して初値は5.8%安い77.98元だった。

 同社は2010年設立。第3世代ワイドギャップ半導体のSiC基板材料の研究開発、生産、販売を行なっており、製品はマイクロウェーブ電子、電力電子分野に応用されている。主に半絶縁型SiC製品の開発、生産に注力し、一部先進国から技術封鎖や輸入禁止措置を取られている中で、中国国内におけるワイドギャップ半導体の国産サプライチェーン構築に貢献している。中国のSiC基板分野のリーディングカンパニーであり、2020年には半絶縁性SiC基板市場において世界3位である30%のシェアを獲得している。

 2020年12月期の売上高は4億2481万元(前期比58.2%増)、純損失は6億4161元(同219.3%損失増)。2021年1〜9月期の売上高は3億7010万元(前年同期比29.91%増)、純利益は5353万元(前年同期は純損失とみられ、具体的な金額は非公表)。

 今回の上場で調達予定の20億元(約360億円)は、上海市臨港新片区に建設予定の大規模なSiC基盤生産工場プロジェクトに用いる。(編集担当:今関忠馬)(イメージ写真提供:123RF)

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